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Neue Hochleistungs-MOSFETs von Potens
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Neue Hochleistungs-MOSFETs von Potens

Innovatives Sortiment für anspruchsvolle Anwendungen

Blume Elektronik freut sich, die neueste Produktpalette von Potens Semiconductor vorzustellen, die sich auf hochwertige MOSFETs spezialisiert hat. Diese Bauteile, bekannt für ihre Effizienz und Zuverlässigkeit, sind speziell für Anwendungen konzipiert, die hohe Drain-Source-Spannungen und signifikante Drain-Ströme erfordern. Die vier neuen Modelle, PDP0002AG, PDT0002AG, PDH0002AG und PDH0902AG, sind perfekt geeignet für fortgeschrittene elektronische Designs und bieten eine robuste Lösung für Ihre Anforderungen.

Verwendungszweck von N-Kanal-MOSFETs mit 100V

N-Kanal-MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung von 100V sind in zahlreichen Hochleistungsanwendungen gefragt. Sie finden Einsatz in Bereichen wie der Stromversorgung, dem Automobilsektor, in Industrieanlagen und bei der Energieumwandlung. Diese MOSFETs sind ideal für Anwendungen, die eine hohe Effizienz, schnelle Schaltzeiten und eine geringe Verlustleistung erfordern. Ihre Fähigkeit, hohe Ströme zu handhaben, macht sie unverzichtbar in Bereichen, die eine robuste und zuverlässige Leistungssteuerung erfordern.

Vergleich der Package-Typen
TO-220
Vorteile: Hohe thermische Belastbarkeit, einfache Montage, gute Verfügbarkeit.
Nachteile: Größeres Gehäuse, möglicherweise nicht ideal für kompakte Designs.

TOLL
Vorteile: Kompakte Größe, hohe Stromtragfähigkeit, effiziente Wärmeableitung.
Nachteile: Komplexere Montage im Vergleich zu TO-220.

TO-263
Vorteile: Gute Wärmeableitung, geeignet für Oberflächenmontage, hohe Leistungsdichte.
Nachteile: Höherer Preis im Vergleich zu TO-220.

Wie bei Potens üblich sind die Produkte auf Anfrage auch als AEC-Q101 Variante verfügbar. Ist ihr Interesse geweckt? Muster sind kurzfristig verfügbar, Datenblätter liegen vor !

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